Elöljáróban annyit, hogy Kb 2. 5-3 órára lesz szükségünk az elkészítéshez, ha az áztatás nem számítjuk bele. Előkészítés Főzés előtt mossuk meg a sonkát, majd áztassuk 1-2 órát hideg, bő vízben. Fontos, hogy a zsíros réteget ne vágjuk le, mert kiszárad a sonkánk a főzés során, illetve fontos íz anyagokat veszíthetünk! Ha nagyon sós a hús, akkor egy egész éjszakát is áztathatjuk! (Hogyan tudhatjuk, hogy nagyon sós? Szalonnás tepsis krumpli fozelek. Egyszerű. Kóstoljuk meg J) Áztatás után öntsük le a vizet róla, majd újból öntsük fel friss hideg vízzel, úgy hogy ellepje! Már indulhat is a főzés!
Élvezd a medvehagymát! Így főztök ti – Erre használják a Nosalty olvasói a... Új cikksorozatunk, az Így főztök ti, azért indult el, hogy tőletek, az olvasóktól tanulhassunk mindannyian. Most arról faggattunk benneteket, hogy mire használjátok az éppen előbújó szezonális kedvencet, a medvehagymát. Fogadjátok szeretettel két Nosalty-hobbiszakács receptjeit, ötleteit és tanácsait, amiket most örömmel megosztanak veletek is. Nosalty Ez lesz a kedvenc medvehagymás tésztád receptje, amibe extra sok... Végre itt a medvehagymaszezon, így érdemes minden egyes pillanatát kihasználni, és változatos ételekbe belecsempészni, hogy még véletlen se unjunk rá. A legtöbben pogácsát készítenek belőle, pedig szinte bármit feldobhatunk vele. Mi ezúttal egy istenifinom tésztát varázsoltunk rengeteg medvehagymával, ami azonnal elhozta a tavaszt. Szalonnás gombás sertéspecsenye, tepsis burgonyával – Kanyargó Ételbár. És csak egy edény kell hozzá! Hering András
A hagymát és a krumplit lereszeljük, beleütjük a tojást, hozzáöntjük az olajat, sózzuk, majd apránként simára keverjük liszttel és tejjel. A palacsintasütőt előmelegítjük, kiolajozzuk, és egy merőkanálnyi masszát … Rátkai palacsinta Tovább » Krumplis rétes Hozzávalók: A tésztához: 2 marék finomliszt, fél marék rétesliszt, kb. fél liter savó, 5 evőkanál olvasztott sertészsír. Szalonnás tepsis krumpli receptek. A töltelékhez: 1 kg krumpli, só, másfél mokkáskanálnyi őrölt feketebors, 2 tojás, 3 evőkanál tejföl. A liszteket átszitáljuk, és a savót apránként adagolva összeállítjuk a tésztát. Alaposan kidolgozzuk, közben hozzáadunk egy evőkanálnyi olvasztott zsírt. Amikor már … Krumplis rétes Tovább »
Kifejezetten undorító ételek, kórházkoszt, pépesített menzakaja, rothadó élelmiszerek.
Bipoláris tranzisztor felépítése B E Bipoláris tranzisztor karakterisztikái Bemeneti karakterisztika Transzfer karakterisztika Bipoláris tranzisztorok típusai Unipoláris tranzisztor • Működésük alapelve, hogy egy térrészen átfolyó áramot úgy szabályozunk, hogy külső elektromos erőtérrel megváltoztatjuk a félvezető vezetőképességét, ill. a rendelkezésre álló keresztmetszetet. Unipoláris tranzisztor • Típusai • JFET • MOSFET • Tulajdonságok • Bemenő áramuk ~ 0A • Kis teljesítményigény • Kis helyigény • A többségi töltéshordozók árama határozza meg a működést.
Az áramvezérelt forrás működése kisjelű erősítőként Iin 3/13/2003 Iout=A*Iin Iout A Q munkapontban kis bemenő jel változáshoz nagy kimenő jel változás 10/20 tartozik A bipoláris tranzisztor (bipolar junction transistor, BJT) • Két egymással szoros kapcsolatban lévő p-n átmenetből áll, a középső réteg közös. • Npn vagy pnp kialakítás egyaránt elképzelhető, az npn tranzisztor gyorsabb, ezért ez a gyakoribb. Áramköri szimbólumok: npn tranzisztor pnp tranzisztor A három kivezetés elnevezése: E emitter, B bázis, C kollektor (emitter, base, collector). 7.2.1. A tranzisztor nyitóirányú karakterisztikája. 3/13/2003 11/20 A tranzisztor hatás A BJT rajzjele Emitter Bázis Kollektor 3/13/2003 Az "ős", a tűs tranzisztor. 12/20 A tranzisztorhatás A tranzisztor több, mint két dióda! 3/13/2003 13/20 A bipoláris tranzisztor felépítése Két pn átmenet, szoros (néhány µm) közelségben BJT Planáris tranzisztor Két lehetőség: npn vagy pnp struktúra A működés azonos, általában csak az npn-t tárgyaljuk. 3/13/2003 14/20 A bipoláris tranzisztor felépítése Elvileg szimmetrikus, gyakorlatilag nem az wBM "metallurgiai" bázisvastagság 3/13/2003 15/20 A bipoláris tranzisztor felépítése B 3/13/2003 E 16/20 A bipoláris tranzisztor felépítése Kisteljesítményű tranzisztor Chip méret: ~ 0, 5×0, 5×0, 3 mm 3/13/2003 17/20 A bipoláris tranzisztor felépítése Közepes teljesítményű tranzisztor B 3/13/2003 E 18/20 Az integrált áramköri BJT felépítése 3/13/2003 19/20 Az integrált áramköri BJT felépítése Collector Base Emitter 3/13/2003 20/20
NPN BJT előrefeszített E-B csomóponttal és fordított előfeszítésű B-C csomóponttal Mi az az átütés a BJT-ben? A fordított előfeszítő konfigurációban a kollektor csomópontja megnő, az effektív bázistartomány csökken. A kollektor csomópont bizonyos fordított előfeszítésénél a kimerülési tartomány lefedi a bázist, nullára csökkentve az effektív alapszélességet. Ahogy a kollektor feszültség behatol az alapba, és az emitter csomópontnál a potenciálgát csökken. Ennek eredményeként túl nagy emitteráram folyik. 5.2.1. A tranzisztor nyitóirányú karakterisztikája. Ez a jelenség Punch Through néven ismert. A bipoláris átmenet tranzisztor alkalmazásai: A BJT-nek nagyon sok alkalmazása létezik, ezek közül néhány A logikai áramkörökben BJT-t használnak. A bipoláris átmenet tranzisztort erősítőként használják. Ezt a típusú tranzisztort kapcsolóként használják. A vágóáramkörök megtervezéséhez a bipoláris átmenet tranzisztort részesítjük előnyben a hullámformáló áramkörökben. A demodulációs áramkörökben BJT-ket is használnak. A bipoláris csatlakozási tranzisztor előnyei és hátrányai: A BJT a teljesítménytranzisztorok egyik típusa.
Keresés Súgó Lorem Ipsum Bejelentkezés Regisztráció Felhasználási feltételek Hibakód: SDT-LIVE-WEB1_637849953594005859 Hírmagazin Pedagógia Hírek eTwinning Tudomány Életmód Tudásbázis Magyar nyelv és irodalom Matematika Természettudományok Társadalomtudományok Művészetek Sulinet Súgó Sulinet alapok Mondd el a véleményed! Impresszum Médiaajánlat Oktatási Hivatal Felvi Diplomán túl Tankönyvtár EISZ KIR 21. századi közoktatás - fejlesztés, koordináció (TÁMOP-3. 1. 1-08/1-2008-0002)
Jellemző IB, μA UBE, mV IB, μA UBE, mV UCE = 0 V UCE = 5 V A táblázat eredményei alapján készítsd el a tranzisztor bemeneti karakterisztikáját UCE = 0V és UCE = 5 V előfeszítés esetén is! 3. Áramátviteli (transzfer) karakterisztika mérése Az UCE feszültséget stabilan 5 V- on tartva, vegyél fel 10 különböző bázisáramot és mérd meg a hozzá tartozó IC kollektor áram értékét! A következő táblázatot használd! Jellemző IB, μA IC, mA B = IC/IB UCE = 5 V A táblázat eredményei alapján készítsd el a tranzisztor transzfer karakterisztikáját! 4. Kimeneti karakterisztika felvétele Különböző bázisáramokat beállítva mérd le a tranzisztor kimeneti jellemzőit! Az UCE feszültséget 1-10 V-ig növeld! A táblázat alapján készítsd el a tranzisztor kimeneti jelleggörbéjét is! Jellemző UCE, V IC, mA Jellemző UCE, V IC, mA Jellemző UCE, V IC, mA Jellemző UCE, V IC, mA IB = 10 μA IB = 20 μA IB = 40 μA IB = 100 μA