Bipoláris tranzisztor vizsgálata 1. Tranzisztor ellenőrzése multiméter segítségével Ellenőrizd a kapott tranzisztort a következő módszerrel! Kézi multiméterrel diódavizsgáló állásban lehetőséged van a tranzisztor működőképességét megvizsgálni. Mivel a tranzisztor tulajdonképpen két diódával helyettesíthető, ezért ezek vizsgálatát kell elvégezni. NPN típusú tranzisztor esetén a B – E dióda akkor van nyitóirányban igénybe véve, ha a bázisra kapcsoljuk a pozitív feszültséget, tehát így vizsgálva a multiméter kijelzi a nyitófeszültség értékét. Ellentétesen vizsgálva szakadást kapunk A B – C diódára is ugyanez érvényes. De a C – E között mindkét irányban szakadást kell mérnünk. 7.2.1. A tranzisztor nyitóirányú karakterisztikája. A megállapítások természetesen PNP tranzisztorra is érvényesek, de minden ellentétes "előjellel"! Ha a fentiektől eltérő eredményeket kapunk, akkor a tranzisztor valószínűleg hibás. (De a megfelelő eredmények sem jelentik 100% - ig a helyes működést! ) 2. Bemeneti karakterisztika felvétele Állítsd be az UCE feszültséget először 0V majd +5V – ra és töltsd ki a következő táblázatot!
A 6. ábra különféle teljesítményű és tokozású tranzisztorokat mutat. Bal oldalon kis teljesítményű, felül műanyag, alatta fém tokozású tranzisztort láthatunk. A fölső sorban balról a második egy valamivel nagyobb teljesítményű fémtokos tranzisztor (erre a tokra szükség esetén hűtőcsillag húzható). Az alatta látható műanyag tokozású tranzisztor igen nagy frekvenciákra készült. Az ábra jobb oldalán három, közepes, ill. nagyobb teljesítményű tranzisztort láthatunk két nézetben. Figyeljük meg, hogy a teljesítménnyel nő a méret, és annak a fém felületnek a mérete is, amely a hűtőbordával érintkezhet (a tranzisztor fém részén lévő lyuk teszi lehetővé a hűtőbordára csavarral való felszerelést). Bipoláris tranzisztor – HamWiki. A tranzisztor fém hűtőfelülete a kollektorral van összekötve, ezért ha a hűtőborda nem kerülhet a kollektor potenciáljára, elektromosan szigetelve kell felerősíteni. Ilyenkor a hűtőborda és a tranzisztor közé hővezető pasztával bekent csillám szigetelőlemezt helyeznek, a felerősítő csavart a tranzisztor fém részétől e célra szolgáló hengeres műanyag szerelvénnyel szigetelik.
Ez a tranzisztorhatás. A teljesítménykülönbséget a kollektorfeszültséget szolgáltató energiaforrás fedezi. Kapcsolási rajzon a tranzisztor jelölését a 3. ábra mutatja. n-p-n______________________p-n-p 3. ábra: Tranzisztor rajzjele A tranzisztor legjellegzetesebb karakterisztikái a bemenő (UBE - IE) és a kimenő (UCE - IC) karakterisztikák. A bemenő karakterisztika a bázis-emitter feszültség és a kialakuló emitteráram közötti kapcsolatot mutatja (4. ábra). Mivel a tranzisztor üzemelésekor a bázis-emitter dióda nyitóirányban van előfeszítve, ez nem más, mint egy dióda nyitóirányú karakterisztikája. A valóságban a kollektor-emitter feszültség változása is befolyásolja az adott UBE feszültségnél kialakuló IE áramot (feszültségvisszahatás), mert hatására változik a lezárt kollektor-bázis határrétegnél kialakult kiürített réteg szélessége, amelynek bázis oldali része mintegy "levonódik" a nagyon keskeny bázisréteg szélességéből ("bázisszélesség moduláció"). Az így kialakuló feszültségvisszahatás azonban olyan csekély mértékű, hogy a további vizsgálatainkban elhanyagolhatónak tekintjük.
Jellemző IB, μA UBE, mV IB, μA UBE, mV UCE = 0 V UCE = 5 V A táblázat eredményei alapján készítsd el a tranzisztor bemeneti karakterisztikáját UCE = 0V és UCE = 5 V előfeszítés esetén is! 3. Áramátviteli (transzfer) karakterisztika mérése Az UCE feszültséget stabilan 5 V- on tartva, vegyél fel 10 különböző bázisáramot és mérd meg a hozzá tartozó IC kollektor áram értékét! A következő táblázatot használd! Jellemző IB, μA IC, mA B = IC/IB UCE = 5 V A táblázat eredményei alapján készítsd el a tranzisztor transzfer karakterisztikáját! 4. Kimeneti karakterisztika felvétele Különböző bázisáramokat beállítva mérd le a tranzisztor kimeneti jellemzőit! Az UCE feszültséget 1-10 V-ig növeld! A táblázat alapján készítsd el a tranzisztor kimeneti jelleggörbéjét is! Jellemző UCE, V IC, mA Jellemző UCE, V IC, mA Jellemző UCE, V IC, mA Jellemző UCE, V IC, mA IB = 10 μA IB = 20 μA IB = 40 μA IB = 100 μA
Így a bemenő karakterisztika ugyanúgy egyetlen görbéből áll, mint a dióda esetében. 4. ábra: Szilícium npn tranzisztor UBE - IE karakterisztikája Tekintettel arra, hogy a kollektoráram és az emitteráram közelítőleg megegyezik, azt lehet mondani, hogy a tranzisztor UBE - IE karakterisztikája gyakorlatilag megegyezik UBE - IC karakterisztikájával. A tranzisztor kimenő karakterisztikája azt mutatja, hogy a kollektor-emitter feszültség (változatlan bázisáram mellett) miként hat a kollektoráramra (5. ábra). 5. ábra: Szilícium npn tranzisztor UCE - IC karakterisztikája Tekintettel arra, hogy a kollektoráram az emitteráram (és ezzel együtt a bázisáram) függvénye, a kimenő karakterisztikaként több görbét adnak meg, melyek különböző bázisáramok esetén mutatják a kollektoráramnak a kollektor-emitter feszültségtől való függését. Ideális esetben a kollektor-emitter feszültség nem befolyásolná a kollektoráramot, vagyis az ideális tranzisztor kimenő karakterisztikái vízszintes egyenesek lennének (a vízszintes tengelyen növekvő feszültség nem idézné elő a függőleges tengelyen az áram növekedését).
A 2 nap üzemidőt biztosító akkumulátorral többre vagy képes, és a korszerű Qualcomm® Snapdragon™ 662 teljesítményére mindig számíthatsz. Nokia telefonok Androiddal™ | Minőségi androidos telefonokat fejlesztünk. Maradj élen a telefonnal, ami készen áll az Android 11 -re és az újabb verziókra, dolgozhatsz és játszhatsz vele egyaránt. Kamerák Örökítsd meg a világot a 48 MP-es négytagú kamerával és a 16 MP-es előlapi kamerával. Mobile platform Válassz okosan, és dönts a Qualcomm® Snapdragon™ 662 mobilplatform mellett. Kijelző A fúrt kamerával rendelkező 6, 39" HD+ kijelzőn bőven van hely a tartalmaknak.
A széles szögből is jól látható kijelző pedig különösen ideális, ha barátokkal közösen néztek videókat. Magával ragadó szórakozás A Nokia 6 két hangszórójának és önálló erősítőjének köszönhetően a basszus mélyebb, a hang erősebb és még tisztább. Eredeti Dolby Atmos® hangzással. Kamera Örökítsd meg az életed a 16 megapixeles kamerával A legjobb pillanatok megörökítése nagyon egyszerű a Nokia 6 kamerájával. A hátlapon 16 megapixeles, fázisfelismerő autofókuszos kamera található, míg az előlapon egy 8 megapixeles kamera kapott helyet. Ráadásul, a fő kamera kéttónusú vakuja segít, hogy csekély fény mellett is természetesnek tűnő felvételeket készíts. A legújabb Android operációs rendszer Eredeti, biztonságos és naprakész A Nokia 6 a Google szolgáltatások teljes választékát kínálja, felesleges extrák nélkül, Android 9 Pie 4 rendszerrel. Problémamentes felhasználói élményt nyújtunk, miközben garantáltan megkapod tőlünk a rendszeres biztonsági frissítéseket, hogy mindig naprakész lehess a funkciók és a biztonság terén.
1 GHz, Akkumulátor Kapacitás: 2 150 mAh Nokia 216 Dual SIM SIM-foglalat: Két SIM, RAM: 0, 02 Gb, Kijelző mérete: 2, 4 inch, Kamerák száma: 2, Akkumulátor Kapacitás: 1 020 mAh Nokia 5. 4 64GB SIM-foglalat: Két SIM, RAM: 4 Gb, Belső Memória: 64 Gb, Operációs Rendszer: Android, Kijelző mérete: 6, 39 inch, Processzor Típus: Qualcomm Snapdragon 662, Processzor Frekvencia: 1. 8 GHz, 2 GHz, Kamerák száma: 4, Akkumulátor Kapacitás: 4 000 mAh Nokia 8. 3 5G SIM-foglalat: Két SIM, RAM: 6 Gb, Belső Memória: 64 Gb, Operációs Rendszer: Android, Kijelző mérete: 6, 81 inch, Processzor Típus: Qualcomm Snapdragon 765G, Kamerák száma: 4, Akkumulátor Kapacitás: 4 500 mAh Nokia 3. 4 SIM-foglalat: Két SIM, RAM: 3 Gb, Belső Memória: 64 Gb, Operációs Rendszer: Android, Kijelző mérete: 6, 39 inch, Processzor Típus: Qualcomm Snapdragon 460, Processzor Frekvencia: 1. 8 GHz, Kamerák száma: 3, Akkumulátor Kapacitás: 4 000 mAh Nokia 2. 3 SIM-foglalat: Két SIM, RAM: 2 Gb, Belső Memória: 32 Gb, Operációs Rendszer: Android, Kijelző mérete: 6, 2 inch, Processzor Típus: MediaTek Helio A22, Processzor Frekvencia: 2 GHz, Kamerák száma: 3, Akkumulátor Kapacitás: 4 000 mAh Nokia 2.